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碳化硅的發(fā)展歷程

發(fā)布時(shí)間:2020-09-18 瀏覽:1096次返回列表

碳化硅由于化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好,除作磨料用外,還有很多其他用途,接下來(lái)碳化硅廠家安陽(yáng)勝凱冶金為大家簡(jiǎn)單講講碳化硅的發(fā)展歷程,一起來(lái)了解下吧!

  碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級(jí),僅次于世界上較硬的金剛石(10級(jí)),具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能,是一種半導(dǎo)體,高溫時(shí)能抗氧化。

  碳化硅歷程表:①1905年次在隕石中發(fā)現(xiàn)碳化硅;②1907年只碳化硅晶體發(fā)光二極管誕生;③1955年理論和技術(shù)上重大突破,LELY提出生長(zhǎng)高品質(zhì)碳化概念,從此將SiC作為重要的電子材料;④1958年在波士頓召開(kāi)世界碳化硅會(huì)議進(jìn)行學(xué)術(shù)交流;⑤1978年六、七十年代碳化硅主要由前蘇聯(lián)進(jìn)行研究。到1978年采用“LELY改進(jìn)技術(shù)”的晶粒提純生長(zhǎng)方法;⑥1987年~到今以CREE的研究成果建立碳化硅生產(chǎn)線,供應(yīng)商開(kāi)始提供商品化的碳化硅基;⑦2001年德國(guó)Infineon公司推出SiC二極管產(chǎn)品,美國(guó)Cree和意法半導(dǎo)體等廠商也緊隨其后推出了SiC二極管產(chǎn)品。在日本,羅姆、新日本無(wú)線及瑞薩電子等投產(chǎn)了SiC二極管;⑧2013年9月29日,碳化硅半導(dǎo)體國(guó)際學(xué)會(huì)“ICSCRM2013”召開(kāi),24個(gè)國(guó)家的半導(dǎo)體企業(yè)、科研院校等136家單位與會(huì),人數(shù)達(dá)到794人次,為歷年來(lái)之。國(guó)際知名的半導(dǎo)體器件廠商,如科銳、三菱、羅姆、英飛凌、飛兆等在會(huì)議上均展示出了新的碳化硅器件。

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